Il-molibdenu disulfide għandu prestazzjoni tajba ħafna bħala materjal semikonduttur 2D, jiġifieri, huma faċilment milwi. Elettroni jistgħu jiċċaqilqu malajr f'tali semikondutturi. Fl-istess ħin, semikondutturi bħal dawn huma trasparenti minħabba li huma ħoxnin biss madwar atomu wieħed. Dawn il-karatteristiċi jagħmluhom ideali biex isiru wirjiet OLED flessibbli. Madankollu, meta l-manifatturi jippruvaw jipproċessaw il-molybdenum disulfide fi transisters li jikkontrollaw il-pixel OLED, ir-reżistenza bejn il-molibdenu disulfide (MoS2) u s-sors u d-drenaġġ tat-transistor se tkun għolja wisq, u b'hekk dan il-materjal eċċellenti jkun impossibli. Niżżel l-app. Issa, l-inġiniera Koreani sabu mod kif japplikaw il-molibdenu disulfide transistors għal wirjiet OLED flessibbli. Huma użaw dan it-transistor biex jiffurmaw matriċi sempliċi ta '6 x 6 dot fuq folja tal-plastik li għandha ħxuna ta' 7 mikroni biss. Din il-biċċa tal-plastik tista 'tiġi applikata fuq il-ġilda umana. Din il-wiri sempliċi tal-folja tal-plastik hija ratba ħafna u tista 'titgħawweġ mingħajr liwi f'raġġ ta' liwja ta 'inqas minn 1 cm.
Jong-Hyun Ahn, espert flessibli ta 'l-elettronika fl-Università ta' Yonsei f'Seoul, spjega li "l-mobbiltà tat-trasportatur" hija l-prestazzjoni ewlenija li għandhom bżonn jindirizzaw. Din il-proprjetà tkejjel ir-rata li biha ċ-ċarġ jgħaddi mis-semikonduttur. Pereżempju, il-materjal użat biex isiru l-biċċa l-kbira taċ-ċipep, silikon kristallin, għandu mobbiltà tal-ġarr ta '1400 ċentimetru kwadru kull volt-sekonda (cm2 / Vs). Is-semikondutturi li jiffurmaw il-backplane tal-wiri huma sistemi għall-iswiċċjar u l-illuminazzjoni tal-pixels. Il-mobbiltà tal-ġarrier meħtieġa għandha tkun kapaċi ssuq kurrent biżżejjed biex tħaddem dawn il-pixels, kif ukoll ir-rata tal-bit bit. "Għal skrins LCD tradizzjonali, il-backsheets tagħhom jistgħu jkunu magħmula minn silikon amorfu b'mobbiltà aktar baxxa tal-ġarr," qal Ahn. Il-materjal għandu mobbiltà ta 'l-elettroni ta' madwar 1 cm2 / V-sek. Iżda l-wirjiet OLED jeħtieġu mobbiltà tat-trasportatur ogħla. Manifatturi ta 'displejs OLED, inklużi LG u Samsung, jużaw materjali ta' mobbiltà ogħla bħall-polisilikon (> 10 cm 2 / V-sec) u semikondutturi ta 'l-ossidu. Madankollu, "dawn il-materjali huma iebsa u fraġli," qal Ahn. Jistgħu jitgħawġu sa ċertu punt, iżda ma jistgħux jitgħawġu ripetutament.
Transistor tal-molibdenu disulfide huwa mgħaffeġ b'żewġ saffi ta 'ossidu ta' l-aluminju (Al2O3) mid-direzzjonijiet ta 'fuq u t'isfel. Dan l-apparat għandu mobbiltà għolja, u mobbiltà għolja hija kruċjali biex iwassal il-kurrent lill-pixels ta 'wiri OLED. Biex jagħmlu wirja OLED flessibli ħafna u rqiqa, Ahn u t-tim tiegħu kellhom bżonn jirrilaxxaw il-molibdenu disulfide mit-transistor li "qabad" dan. Ahn qal: "Ir-reżistenza għall-kuntatt bejn il-molibdenu disulfide u l-elettrodu transistor hija għolja ħafna, u r-reżistenza għolja tnaqqas il-mobbiltà tal-ġarr tat-transistor tal-molibdenu disulfide." Is-soluzzjoni għas-soluzzjoni tal-problema hija li jiġi rikonoxxut li semikondutturi 2D huma suxxettibbli ħafna għall-materjali tal-madwar. . B'differenza mill-mezzi tas-soltu għat-tqegħid tat-transisters fuq il-wiċċ ta 'l-ossidu tas-silikon, it-tim ta' Ahn juża materjali lixxi ħafna u faċli biex jiġu kkontrollati. Huma għaffew it-transistor f'żewġ saffi ta 'iżolazzjoni tal-ossidu tal-aluminju. L-interfaċċja bejn l-ossidu ta 'l-aluminju u l-molibdenu disulfide iżżid l-elettroni fis-semikonduttur, simili għall-fenomenu tad-doping kimiċi fil-materjal tas-silikon biex tagħmilha semikonduttur. Dan it-titjib jegħleb il-problema ta 'reżistenza għall-kuntatt għolja u jtejjeb il-mobilità tal-ġarr ta' ċarġ. Barra minn hekk, il-materjal dielettriku lixx ma joħloqx spots li jistgħu jinqabdu ċ-ċarġ, u b'hekk iżidu l-mobbiltà għal 17 sa 20 ċentimetru kwadru kull volt-sekonda.
Huma rrapportaw l-invenzjoni lill-ġurnal Science Advances din il-ġimgħa.
